全球领先的AlN单晶衬底星空体育网站入口

　　星空体育官网平台奥趋光电是一家由半导体领域顶尖技术专家、海外归国学者团队领衔创立的高科技创新型企业.

　　奥趋光电始创于2016年5月，2016年8月自主研发、设计完成第一代PVT法氮化铝单晶生长炉

　　奥趋光电目前已与全球知名紫外光电、功率及射频器件领域下游企业、高等院校及科研院所广泛开展合作

　　UVC紫外线能在短时间内消灭细菌，在AlN衬底上构建LED结构，可有效地将波长控制在UVC波段范围

　　AlN薄膜的SAW传播速度快星空体育网站入口，AlN SAW器件有良好的化学和热稳定性，是移动信号处理的关键部件

　　AlN 器件的功率处理能力是SiC和GaN的15倍，因此被冠名为“下一代电力电子器件材料”

　　AlN 介电常数小，具有良好热导率、高电阻率和击穿场强，是优异的高温、高频和大功率器件材料

　　奥趋光电由知名海外留学归国团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，具备超强的持续创新能力

　　创新成果：高质量AlN模板星空体育网站入口、60mm AlN单晶制备工艺、AlN晶体生长设备、晶体生长模拟仿真计算

　　奥趋光电在氮化铝领域的相关研发成果受到业内的广泛认可，多次获奖或在权威学术期刊中发表

　　截止2023年12月，奥趋光电围绕氮化铝晶圆制程已申请60余份中国专利和PCT专利

　　奥趋光电始终坚持“以人为本、共新共赢”的人才理念，重视人才的价值，关注人才的发展

　　奥趋光电向公司全体员工提供行业内富有竞争力的薪酬体系和完善的福利制度

　　奥趋大家庭由一群朝气蓬勃、充满激情、敢打敢拼并极具创新力的高素质综合型人才队伍组成

　　奥趋光电是一个公平、公正、开放、包容的平台，我们热忱欢迎充满梦想的您加入

　　公司管理团队在半导材料体领域具有丰富的研发、企业管理及国内外创业经验，和较高的学术界声誉

　　奥趋光电具备独有的高质量AlN圆晶衬底材料全套制程能力，且相关产品应用领域具有巨大的市场潜力......

　　奥趋光电作为全球领先的AlN单晶衬底和模板制造商，受到了众多投资者的关注和青睐

　　奥趋光电在此特别提醒访问本网站的用户或浏览者认真阅读、充分理解本版块条款

　　2024动态第十八届全国MOCVD学术会议圆满落幕，奥趋光电AlN单晶优惠持续进行中

　　7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...

　　2024动态奥趋光电亮相第十八届全国MOCVD学术会议，AlN单晶优惠火热进行中

　　第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮...

　　2024邀请助力第十八届全国MOCVD学术会议，AlN单晶优惠抢先开启

　　2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单...

　　6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬...

　　2024年7月2日至4日，2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题星空体育网站入口，邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂，围绕5G...

　　7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...

　　第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...

　　2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...

　　6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬备和同质外延关键技术”项目（编号2022YFB3605300，项目负责人北京...

　　2024年7月2日至4日，2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题，邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂，围绕5G、6G和Wi-Fi 7等高频、大带宽滤波器技术，共同探讨关键基础材料、器件设计、...

　　使用这些晶圆制备的首批晶体管已经显示出极具前景的电气性能，例如高达2200 V的击穿电压和优于SiC基/GaN基的功率开关器件的功率密度。与现有的硅器件相比，在AlN晶圆上成功制备出的AlN/GaN HEMTs，其传导损耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶体管大约高出十倍星空体育网站入口。这些研究突...

　　为了提高量子阱高电子迁移率晶体管（QW HEMTs）中的电子迁移率星空体育网站入口，我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明，量子阱中高电场引起的界面粗糙度散射限制了迁移率。将量子阱宽度增加到其松弛形态可以减小内部电场和散射，从而...

　　本文展示了采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件，我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而，我们的研究揭示，在这样的高温生长环境下，Si的掺入量会显著降低。为了实现更高的Si掺入量...

　　在过去的十年中，半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经超越了硅，占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用领域，人们自然会提出一个问题：下一代新的功率半导体会是什么——哪一种半导体将凭借...

　　Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的超宽带隙和高热导率不仅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，还有助于提高下...