BOB半岛光迅科技申请雪崩光电二极管专利可以降低电容提高带宽

　　BOB半岛金融界2023年11月24日消息，据国家知识产权局公告BOB半岛，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管及其制作方法“，公开号CN117117012A，申请日期为2022年5月。

　　专利摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法，该雪崩光电二极管在半绝缘衬底上至少堆叠有P型接触层BOB半岛、基础功能层以及N型接触层，基础功能层和N型接触层之间还设置有N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层BOB半岛，其中，半绝缘衬底与P型接触层的侧周形成第一台阶，P型接触层与基础功能层的侧周形成第二台阶，基础功能层、N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层的侧周依次覆盖有第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层。本发明可以降低电容，提高带宽。另外，在工艺上，可以解决腐蚀过程中钻蚀的问题，可以提高整个芯片的可靠性。

　　证券之星估值分析提示光迅科技盈利能力一般，未来营收成长性一般BOB半岛。综合基本面各维度看，股价合理BOB半岛。更多

　　以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，我们将安排核实处理。