BOB半岛带的电子受到激励向导带运动，原来的价电子就留下空穴。这样在P区、N区及耗尽层就产生电子－空穴对BOB半岛。在耗尽层电场作用下电子向N区、空穴向P区加速运动，这样使得P区带正电，N区带负电，各自向对方的电极方向运动（漂移），这样就产生了
光电倍增管的原理主要有两个：光电效应和二次电子发射理论。首先光电效应，大家都懂，就是当光入射到碱金属表面时，会有电子放出BOB半岛，当电子的动能超过碱金属的逸出功时，就会逃离金属表面，这时如果用非常灵敏的电流计就可以探测到电流信号。第二部是放大，逃逸出的电子在经过倍增极的二次放大，就会使电流信号不断增大，最后在阳极输出一个较大的电流信号。与光电倍增管对比来看，光电倍增管不仅能产生电流还能对电流进行放大BOB半岛，不过两者产生电流的原理是完全不同的。
凡是用到微弱光探测的地方一般都用光电倍增管，比如一些伽马相机，放射源的探测，等等。而光电二极管的应用在原理中已简单交待。
光电二极管是一种非常常见的光电元器件，因此生产厂家非常多，可以，可是光电倍增管的生产厂家非常非常少，全世界的光电倍增管主要是有一家公司生产的：日本的滨松光子，如果你是做光电检测的，则对这个公司应该非常熟悉，其次英国的photonis，不过，这家公司已经在金融危机后停产了。
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围。
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时，电流以两种方式之一流过它：要么从光中产生小电流，要么光允许更大的电流流过。
是用于检测电子电路中入射光的常用元件之一。它具有广泛的应用，如远程控制，警报，感官应用等。本文解释了什么是
（Photodiode）是一种能够将光能转换为电能的半导体器件。其结构类似于普通
相似的结半导体器件，其产生的电流与光强度成正比。这种器件可以认为是一种内置电流放大器的
的光检测功能，是微处理器或微控制器了解物理世界并相应地进行控制或分析算法的一种手段。
为最基本的光生伏特器件，因其高响应速度和低暗电流，结电容等特性，广泛应用于
改换半导体器材，与光敏电阻器比照具有活络度高、高频功用好，牢靠性好、体积小、运用便当等利益。
的窗材 料通常由硼硅玻璃、透紫玻璃（UV玻璃）、合成石英 玻璃和氟化镁（或镁氟化物）玻璃制成。
，在两种半导体之间的 PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生
器件，都 可把光的能量转换为电的能最，但作为传感器时却有较大的不同，它们的主能差别在于：
(semiconductor avalanche photodiode )是具有内部
时，光的能量大于带隙能量时，价电子带的电子受到激励向导带运动，原来的价电子就留下空穴。
的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多，加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制，因此，硅
，外加反向电压时产生很小的反向饱和电流被称为暗电流，通常暗电流小于0.2uA 当有光照射时BOB半岛，
一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的
APD。现有IAE、SAE和SAR系列。这几个系列的产品有着极高的响应度
检测器响应速度和转换效率，为此在制造时，在P型材料和N型材料之间加一层
的发光过程是一个冷过程，唯一的热发光源是：无辐射复合，电阻发热占据首要地位，我
）是将光信号变成电信号的半导体器件，与光敏电阻相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性
的种类很多，多应用在红外遥控电路中。为减少可见光的干扰，常采用黑色树脂封装，可滤掉700nm波长以下的光线。常见的几种
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