BOB半岛什么是光电晶体管光电晶体管电路解析

　　BOB半岛光电二极管可以产生光电流，因为它的结暴露在入射光下。除了暴露的半导体材料是双极结型晶体管 （BJT）的基极之外，光电晶体管的功能与此类似。

　　光电晶体管被描绘为 BJT，其中基极被移除，箭头表示基极对光敏感。本文中的其他图表仅描绘了 NPN 光电晶体管。

　　首先，你可以用入射光的强度来替换流入普通晶体管基极的电流量。在有源模式 BJT 行为的基本模型中，输出电流（即集电极电流）是输入电流（即基极电流）乘以称为 beta （β） 的增益参数。对于光电晶体管，入射光就像是施加到基极的微弱信号，输出电流远高于我们对光电二极管的预期，因为晶体管能够在内部放大施加到基极的信号。

　　其次，您可以想象一个光电晶体管是一个 BJT，其基极连接了一个光电二极管，这样晶体管的输入信号就是光电二极管产生的光电流。在这个概念中，BJT 就像一个附加的半导体器件，它将电流增益应用于光电二极管的输出信号。

　　光电晶体管在概念上等同于驱动双极结型晶体管基极的光电二极管。请注意光电二极管的方向：光电流始终是反向电流，光电二极管的方向使光电流流入基极。

　　与光电二极管一样，光电晶体管的目标是从光生电流产生可用的输出电压。由于光电晶体管在其半导体结构中内置了放大功能，因此我们不需要基于运算放大器的跨阻放大器 （TIA）。相反BOB半岛，我们可以使用我们在非光敏 BJT 应用中已经知道的放大器配置。

　　的共集电极和共发射极结构是用于将光转换为电压都可行的选择。我更喜欢共发射极方法，因为我觉得它更直观，但如果您更喜欢避免反转——即，如果您想要更高的照度以产生更高的输出电压，那么您可能会喜欢共集电极放大器。

　　您可以使用共集电极或共发射极放大器配置将您的光电晶体管变成一个照度-电压转换器。

　　光电晶体管似乎是对光电二极管的重大改进，但它们并不像您想象的那么受欢迎。内部电流放大理论上是一个重要的优势，但有很多资源可以帮助工程师设计高性能 TIA，我更喜欢 TIA 方法。

　　光电晶体管在照度和输出电流之间保持线性关系的能力较差。如果您只需要一个产生数字输出电压的开/关光检测器，这并不重要。我的光敏应用往往需要模拟输出信号，我本能地贬低光电晶体管的有限线性。

　　光电二极管的响应速度比光电晶体管快。宽带宽的重要性取决于应用的要求，在许多情况下BOB半岛BOB半岛，光电晶体管就完全足够了。同时，您不希望围绕光电晶体管设计您的系统，然后在一年后当有人想要将最大工作频率提高一个数量级时被迫对设计进行大修。

　　与光电二极管相比BOB半岛，光电晶体管中的重要性能规格对温度更敏感。如果您的产品始终在室温下运行BOB半岛，则这不是问题。如果您使用汽车或军事系统，光电晶体管的温度引起的性能变化可能会导致头痛。

　　光电晶体管提供更高的光生输出电流，同时施加一些性能限制。我喜欢光电二极管；尽管如此，在很多应用中，使用光电晶体管并消除 TIA 的成本和复杂性是有意义的。