BOB半岛清华团队芯片突破：全新光电架构180nm比7nm还强

　　BOB半岛，ASML的EUV光刻机又不准卖，并且连浸润式光刻机都受限了，在这样严峻的情况之下，突破成本越来越高，难度越来越大。

　　正如张忠谋所言，半导体的全球化已死，我们要突破，就得重建整个供应链，这个难度确实很大，同时需要漫长的时间，非一朝一夕之功。

　　所以很多研究团队，就想着换道超车，或者弯道超车，这样绕开被专利BOB半岛、技术封锁的方向，找出一条新的道路来。

　　比如之前的碳基芯片、光芯片、量子芯片等，就是这样，绕开目前的硅基芯片、EUV光刻机等被高度垄断的方向。

　　这个方向由清华大学自动化系（戴琼海院士、吴嘉敏助理教授）与电子工程系（方璐副教授、乔飞副研究员）联合攻克。

　　这种技术基于光电深度融合计算框架，将光芯片与电芯片结合，在一枚芯片上突破大规模计算单元集成BOB半岛、高效非线性、高速光电接口三个国际难题。

　　它到底有多强？先说性能方面，算力达到目前高性能商用芯片的三千余倍BOB半岛，实验中，电路部分仅采用180nm CMOS工艺，已取得比7纳米制程的高性能芯片多个数量级的性能提升。

　　再说功耗部分，原本供现有芯片工作一小时的电量，可供它工作五百多年，系统级能效是现有高性能芯片的四百万余倍。

　　这种芯片，一经量产，肯定就是王炸，将彻底颠覆现有的半导体行业，而其相关成果BOB半岛，已发表在《自然》期刊上。

　　不过大家都清楚，任何技术从提出到量产，最后应用于实际场景之中，会是一个比较漫长的过程，而现在这项技术还只是在实验室BOB半岛，更多的还是研究阶段，至于落地应用要多久，还不清楚。

　　接下来希望这一技术赶紧落地使用，那么芯片产业将彻底被颠覆，我们也不用怕被卡脖子了，甚至当我们领先后，都有可能去卡美国脖子。